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作者对具有这种多孔绝缘体接触（PIC）的电池进行了漂移扩散模拟，西省并通过控制氧化铝纳米板的生长模式，使用固溶工艺实现了漂移扩散。【数据概况】图1、集中竞价交易p-i-n器件PIC的概念和仿真©2023AAAS图2、集中竞价交易通过Al2O3纳米板的固溶过程实现PIC接触设计©2023AAAS图3、PIC对减少非辐射性重组的影响©2023AAAS图4、PIC增强型p-i-n器件的光伏特性©2023AAAS【成果启示】本文提出了一种接触结构来克服目前钙钛矿太阳能电池的挑战，通过沉积氧化铝纳米片形成厚的（~100纳米）电介质掩模，从而产生用于载流子传输的随机纳米级开口。

利用接触面积减少约25%的PIC，直接在p-i-n器件中实现了高达25.5%的效率（经认证的稳态效率24.7%）这是p-i-n电池有史以来报告的最高值。其Voc×FF的乘积为Shockley-Queisser极限的87.9%，电量可与创纪录的n-i-p器件相媲美。【成果掠影】近日，上限中国科学技术大学徐集贤教授团队引入具有随机纳米级开口的厚（约100纳米）电介质掩模，上限通过沉积氧化铝纳米板形成，从而为载流子传输创造了随机的纳米级开口来克服这一挑战。

月陕亿千p-i-n电池也达到了约24%的认证PCE。西省本研究还证明了其对于不同p型接触和钙钛矿组成的广泛适用性。

与传统钝化层相比，集中竞价交易该层减少了非辐射复合，并将功率转换效率从23%提高到25.5%。

随后作者将PIC概念也可以推广到其他钙钛矿组分，直接证实了它对不同p型触点和钙钛矿成分的广泛适用性文献链接：直接Reducingnonradiativerecombinationinperovskitesolarcellswithaporousinsulatorcontact(Science2023,379,683-690)本文由大兵哥供稿。双耳大而直立，电量向中间靠拢，两耳间距与两眼间距基本相同，耳垂延伸至与眼平行。

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